抛光剂的化学蚀刻最佳配方和工艺参数为：FeCl3660～850g/L、HCl（36%）8～20mL/L，添加剂10～20g/L，温度45～50℃。在此条件下，蚀刻速度为10～20μm/h，蚀刻时间根据图纹具体深度而定。
化学抛光最佳配方和工艺参数为：硝酸（65%）15～40mL/L，盐酸（36.5%）60～100mL/L，磷酸（85%）20～45mL/L，复合光亮剂1～5g/L，缓蚀剂0.2～2g/L，增稠剂2～20g/L，抛光温度为25～40℃，抛光剂的抛光时间为1～5h。在此条件下，可以获得光亮如镜的抛光面。
电镀铬最佳工艺：铬酐230～270g/L，硫酸2.3～2.7g/L，三价铬<5g/L，阴极电流密度50～60A/dm2，温度55～60℃。铬酐在电镀铬溶液中不仅起到稳定镀液的作用，而且对pH也有一定的缓冲作用，从而使得镀层厚度可持续增加
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