抛光浆是由多种化工溶液配制而成的溶液，它在抛光工艺中有重要的地位，合理选择抛光浆，能使加工出来的工件表面光亮美观，色泽鲜艳，光亮夺目，还可以防止工件的锈蚀，保持与提高工件表面的光泽，起到清洁工件与磨具的作用。去除油污，软化工件表面以加速磨消，减少磨具对工件的冲击，改善工件条件。它具有无毒，无腐蚀，不易变质等性能。

机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（CMP）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：

1.抛光首先使吸附在抛光布上的抛光浆中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。

2.抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新裸露出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。

硅片的化学机械抛光浆过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得质量好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。